如同一位精明的技师通过巧妙地调整MOSFET的运行参数就像调校一台高性能的汽车引擎让它在不间断电源设

一、引言

MOSFET作为模块电源中的关键开关器件，其损耗的优化对于提高整体效率至关重要。然而，过度追求减少损耗往往会导致严重的EMI问题，从而影响系统稳定性。在设计模块电源时，必须平衡MOSFET损耗的降低与EMI性能的提升。

二、MOSFET功耗分析

MOSFET的主要损耗包括通态损耗、导通损耗、关断损耗、驱动損害和吸收損害。在高频驱动下，开通和关断过程中的能量转换变得更加频繁，这增加了总体能量消散。为了更好地理解这些过程，我们可以参考张兴柱之《MOSFET分析》中提供的一些公式，并通过实验数据进行验证。

三、MOSFET功率优化方法及其利弊考量

3-1. 通过调整开关频率以减少损失

高频操作能够使得变压器磁芯尺寸更小，但同时也可能导致严重的EMI问题。例如，在轻负载情况下，金升阳DC/DC R3产品采用跳频控制策略来适应不同的工作条件，同时还考虑到节能和EMI辐射的问题。

3-2. 通过降低RDS(ON)值来减少摩擦

在小功率模块电源（如50W以下）中，如图所示反激拓扑结构常被使用。从摩擦方面分析可知，与导通摩擦成正比，与关闭摩擦成正比；因此，可以通过减小栅极驱动电阻Rg来降低时间，从而减少MOSEFT摩擦。此方法虽然有效，却带来了额外的EMI挑战，以金升阳URB2405YMD-6WR3为例，我们可以看到不同驱动阻抗对辐射测试结果有显著影响。

通过添加吸收电路来抑制尖峰压力

在设计反激拓扑式结构时，变压器漏感总是存在，一般在MOSEFT截止阶段会出现较大的漏极尖峰电压。如果不加以吸收，这些尖峰可能会导致系统故障或超出设计容许范围。例如，在金升阳URF2405P-6WR3产品中，如果没有RC吸收电路（如图标注①），则无法满足EN55022标准，而加入RC组合后的方案则成功解决了这个问题。

四、结论

MOSEFT功率优化是一个复杂且需要综合考虑多种因素的问题。不仅要考虑如何最小化其各种类型的能源消散，还要确保这种努力不会对电子设备产生不良影响，比如过强的情境噪声干扰。这就是为什么许多公司，如金升阳，都将环境保护理念融入到他们产品开发流程中，以实现最佳效果并保持良好的兼容性，使得它们成为电子系统不可或缺的心脏，为不断输送能源做出贡献。