如同一位精通电力艺术的匠人巧妙地调整工控电源设备中的MOSFET损耗就像是在画布上轻描淡写提升了EM

一、引言

MOSFET作为模块电源中的关键开关器件，其损耗的优化对于提高整体功率效率至关重要。然而，过度减少MOSFET损耗可能会导致更严重的EMI问题，从而影响系统稳定性。因此，在追求高效能的同时，我们必须兼顾EMI性能，以确保系统的可靠运行。

二、MOSFET开关过程中的功耗分析

通态和导通损耗：在300kHz驱动频率下，这两种损耗已成为总损耗的大部分。

关断和驱动损耗：这些是由于栅极电压变化与漏极电流变化所产生的能源消失。

吸收和其他方面：包括变压器磁芯的能量吸收等。

三、MOSFET功耗优化策略及其对EMI性能影响分析

通过降低开关频率来减少MOSFET损耗，但这会增加变压器磁芯尺寸，导致体积增大，并可能引起严重的EMI问题。

通过降低Rg（栅极到源端之间阻值）来减少Vgs（栅极到源端之间电压）的最大值，但这同样会带来额外的EMI挑战。

采用合适的吸收电路以减少尖峰電壓對於mosfet損壞之風險並減少EMI問題。

四、结论

针对模块电源中MOSFET损耗的问题，不仅需要进行精细分析，还需在考虑各项因素并平衡后制定相应措施。在设计过程中，一些小调整，如采用跳频控制或改进吸收环节，都可以显著提升整体效率，同时有效地解决了EMI相关问题。